應用領域 | 地礦,能源,冶金,航天,綜合 |
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下拉法晶體生長爐
一·下拉法晶體生長爐設備用途:
下拉法晶體生長爐兼顧感應區熔及晶體生長爐兩種功能,一種用于材料的熔化提純,一種用于材料的定向凝固。
二·下拉法晶體生長爐設備特點:
1·本設備采用立式底部升降結構,一體化設計,結構緊湊,裝卸料方便,
2·真空爐體采用304全不銹鋼雙層腔室,承壓能力強
3·采用下降法,既可以用于晶體生長,也可用于金屬材料的區熔提純
4·真空系統可選配高低真空
5·控制過程全程自動化,不用人為干預,
三·下拉法晶體生長爐主要技術參數
1.加熱溫度: 1600℃
2.常用溫度:1400℃
3.功率: 15Kw±10%
3.冷態極限真空度: ≤5Pa(可升降高真空系統)
4.坩堝尺寸: Ф30×100mm(直徑×高 )
5.測溫系統: 紅外(700~1600)
7.加熱方式: 高頻感應加熱
8.坩堝升降速度: 位移行程 150mm(步進電機控制)速度:1~60mm/min
9.線圈升降速度: 位移行程 150mm(步進電機控制)速度:1~60mm/min
10·爐內充氣壓力: ≤0.03MPa
11·充氣系統: 自動充放氣
12·控制方式:plc+觸摸屏全自動控制